红光LED以GaP二元系AlGaAs三元系和AlGaInP四元系为主宝石GaAs是，主要采用GaP和GaAs作为衬底宝石GaAs是，未产业化的还有蓝宝石Al2O3和硅衬底1GaAs衬底在使用LPE生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时。

另一方面，在无色蓝宝石单晶上可以外延铊等混合超导化合物，制作高电阻器件，也可以用来生长GaAs或者用它做其他一些材料的载片 另外，A面 晶面无色蓝宝石单晶衬底由于无色蓝宝石单晶具有稳定的介电常数和高绝缘性，可用作高温超导材料。

InN薄膜在GaAs111衬底上的核化方式与在αAl2O3001衬底上的情况有非常大的差别，InN薄膜在GaAs111衬底上的核化方式没有在白宝石衬底上生长InN薄膜时出现的柱状纤维状结构，表面上显现为非常平整7Si单晶Si，是应用很广。

gaas是直接带隙半导体材料直接带隙半导体重要性质如下当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变满足动量守恒定律。

镓处在金属元素和非金属元素的交接处，因此它的金属性很弱，几乎靠近非金属，砷的非金属性不是很强，他们两电负性差别不大，因此容易形成共价键何况他都把晶胞的样子都画出来了怎么看也不可能是离子化合物吧。

磷砷化镓GaAsP红色，橘红色，黄色 磷化镓GaP红色，黄色，绿色 氮化镓GaN绿色，翠绿色，蓝色 铟氮化镓InGaN近紫外线，蓝绿色，蓝色 碳化硅SiC用作衬底蓝色 硅Si用作衬底蓝色开发中蓝宝石Al。

前面的内容介绍的就是制作LED芯片常用的三种衬底材料除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaASAlNZnO等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。

可见对于红绿蓝的 LED， 其生长衬底可以分别选择为 GaAsGaP 和 SiC 衬底来进行制作， 而白光的 LED 可以用 GaN 晶圆来进行制作GaAsGaP 和 SiC 3C SiC 为 Zinc Blende， 而 4H 和 6HSiC 为 Hexagonal 结构 为 Zincblende。

l确切的说是GaNled芯片采取蓝宝石或者sic，这是因为GaN没有体块材料，无法同质外延只能采取异质外延的方法生长蓝宝石的话价格低廉，外延技术成熟而SiC由于其和GaN晶格失配小，热导率高，非常适宜高功率led制备。

矿物晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂，并且能裂出光滑平面的性质称为解理，这些在解理中出现的平面称为解理面。

GaAs中起施主作用的是具有施主型的深能级这种氧原子也可以与其他点缺陷构成复合的点缺陷，都起着施主作用一个As原子占据了Ge原子的位置，As原子有五个价电子，其中四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一个。

1Ga原子的原子结构示意图中，有四个电子层，最外层有3个电子，所以其属于第四周期第IIIA族，As是33号元素，其原子结构示意图为 故答案为第四周期第IIIA族， 2Ga是31号元素，所以Ga的原子核外电子。

EFEi就是bandgap了，GaAs大约是14eVGaAs的fermi level是~075 AlGaAs取决于AL的比例比如Al=02时，Eg=17eV。

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件光电子器件的新型半导体材料，并与SIC金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代GeSi半导体材料第二代GaAsInP化合物半导体材料之后的第三代。

衬底对发射光的吸收情况也是一个重要问题，一般的GaAsP器件都采用GaAs衬底，采用GaP衬底可明显提高发光效率这是由于用透明的GaP替代GaA，后，使LED芯片从面发光变成体发光，大大减小了衬底对光的吸收此外，外延层应保持较高。